A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
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A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí)，三極管工作在飽和區(qū)，輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.晶體振蕩器
最新試題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。