A．自由電子
B．空穴
C．束縛電子
D．晶格上的離子
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A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對(duì)于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對(duì)于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素
A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高
A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價(jià)元素，可形成N型半導(dǎo)體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成
最新試題
在三極管基本放大電路中，由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)飽和失真。為了改善失真波形，方便的做法是應(yīng)（）。
晶體管具有電流放大能力，而放大能源來(lái)自于放大電路中的（）。
某實(shí)際運(yùn)放，已知其直流工作電源是±15V，開(kāi)環(huán)增益AU0=107。若用于線性運(yùn)算，則其輸出電壓范圍可能是（）。
關(guān)于晶閘管應(yīng)用的下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
運(yùn)算放大器構(gòu)成線形反相比例運(yùn)算，為了減小運(yùn)算誤差，則在反相端輸入信號(hào)電壓時(shí)，其同相端應(yīng)（）。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)的值為（）。
在三極管基本放大電路中，由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形，方便的做法是應(yīng)（）。
在三極管共發(fā)射極放大電路中，如果基極偏置電流IB太大，將會(huì)產(chǎn)生非線性（），如果基極偏置電流IB太小，將會(huì)產(chǎn)生非線性（）。
已經(jīng)導(dǎo)通的可控硅，欲使其關(guān)斷，下列哪種方法不可取的是（）。
PNP型三極管處于放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)極的電位關(guān)系為（）。