單項選擇題位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結(jié)果導致空位或間隙原子的增值或減少。
A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少
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1.單項選擇題點缺陷與材料的電學性質(zhì)、光學性質(zhì)、材料的高溫動力學過程等有關(guān)，以下點缺陷中屬于本征缺陷的是（）。
A.弗侖克爾缺陷
B.肖特基缺陷
C.雜質(zhì)缺陷
D.A+B
2.單項選擇題根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（）。
A.2
B.4
C.6
D.8
3.單項選擇題對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（）。
A.沸石>螢石>MgO
B.沸石>MgO>螢石
C.螢石>沸石>MgO
D.螢石>MgO>沸石
4.單項選擇題硅酸鹽晶體的分類原則是（）。
A.正負離子的個數(shù)
B.結(jié)構(gòu)中的硅氧比
C.化學組成
D.離子半徑
5.單項選擇題螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（）。
A.2
B.4
C.6
D.8