單項選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。當離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（）。

A.正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的縮小
B.正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加
C.正離子空位和負離子間隙是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加
D.正離子間隙和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加


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1.單項選擇題位錯的滑移是指位錯在（）作用下，在滑移面上的運動，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。

A.外力
B.熱應(yīng)力
C.化學(xué)力
D.結(jié)構(gòu)應(yīng)力

2.單項選擇題間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（）。

A.雜質(zhì)質(zhì)點大小
B.晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)
C.電價因素
D.A+B+C

3.單項選擇題晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（）。

A.線性增加
B.呈指數(shù)規(guī)律增加
C.無規(guī)律
D.線性減少

4.單項選擇題按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（）。

A.熱缺陷
B.雜質(zhì)缺陷
C.非化學(xué)計量缺陷
D.A+B+C

5.單項選擇題缺陷對晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（）。

A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.A+B+C