絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。