A.硬盤存儲器
B.內(nèi)存儲器
C.軟盤存儲器
D.光盤存儲器
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A.改寫電壓低
B.使用安全可靠
C.速度快
D.功耗低
A.1000H~10FFFH
B.10000H~10FFFH
C.2000H~11FFFH
D.20000H~12FFFH
A.CF
B.SD
C.SM
D.LCD
A.為了提高CPU讀寫程序和數(shù)據(jù)的速度,在RAM和CPU之間增加了高速緩存部件。
B.Cache的內(nèi)容是RAM中部分存儲單元內(nèi)容的副本。
C.CPU讀寫程序時先訪問高速緩存,若高速緩存中沒有所需的信息再訪問RAM。
D.Cache的容量影響內(nèi)存的容量。
A.DRAM存儲單元的基本結(jié)構(gòu)是一個雙穩(wěn)態(tài)電路,需要電流刷新
B.一般把DRAM用在比內(nèi)存小得多的高速緩沖存儲器等場合
C.DRAM即通常所說的內(nèi)存
D.與DRAM相比,SRAM的特點是讀寫速度快、存儲容量小、價格高
最新試題
關(guān)于查找表的操作,以下哪些說法是正確的?()
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IP數(shù)據(jù)報頭部的關(guān)鍵字段包括哪些?()
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分頁存儲管理方式不需要頁表。