單項(xiàng)選擇題關(guān)于超導(dǎo)磁體的特點(diǎn)，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（）。

A.電流負(fù)荷大，可產(chǎn)生強(qiáng)大的磁場(chǎng)
B.強(qiáng)大磁場(chǎng)消耗大量電能
C.產(chǎn)生的磁場(chǎng)均勻、穩(wěn)定
D.必須為超導(dǎo)線圈提供超導(dǎo)條件
E.必須有相應(yīng)的失超開關(guān)


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于磁場(chǎng)均勻性，敘述正確的是（）。

A.磁場(chǎng)均勻性與測(cè)量所用的球體大小成正比
B.磁體的成像區(qū)域越大，磁場(chǎng)均勻性越低
C.磁場(chǎng)均勻性的單位為mT
D.磁場(chǎng)均勻性與成像質(zhì)量無(wú)關(guān)
E.在測(cè)量所用球體大小相同的情況下，ppm值越高，說(shuō)明磁場(chǎng)均勻性越好

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于永磁型磁體，敘述錯(cuò)誤的是（）。

A.運(yùn)行維護(hù)簡(jiǎn)單，消耗低
B.受環(huán)境溫度影響小
C.磁場(chǎng)強(qiáng)度較低
D.磁體龐大、笨重
E.由具有鐵磁性的永磁性材料構(gòu)成，其磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減極慢

3.單項(xiàng)選擇題表面線圈的主要作用是（）。

A.擴(kuò)大了成像容積
B.提高圖像信噪比（SNR）
C.縮短成像時(shí)間
D.增加空間分辨率
E.增加對(duì)比度

4.單項(xiàng)選擇題CT機(jī)的管電壓一般在（）。

A.80～100kV
B.80～140kV
C.60～140kV
D.60～150kV
E.40～150kV

5.單項(xiàng)選擇題英文縮寫“CCD”是一種（）。

A.影像板
B.平板探測(cè)器
C.薄膜晶體管
D.發(fā)光二極管
E.電荷耦合器件