單項選擇題國際10-20系統(tǒng)頭皮腦電圖電極安放方式的優(yōu)點是（）。

A.電極數(shù)量少
B.電極位置的排列與頭的大小和形狀成比例
C.與大腦解剖部位吻合
D.可以根據(jù)實際情況在此基礎(chǔ)上省略某些電極，如新生兒最少可保留10個電極
E.參考導(dǎo)聯(lián)可隨意安放


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1.單項選擇題暴發(fā)—抑制是一種嚴(yán)重的異常腦電圖現(xiàn)象，不見于哪種情況（）

A.大腦皮層和皮層下廣泛損傷
B.嚴(yán)重缺氧性腦損傷，如溺水
C.麻醉狀態(tài)
D.Ⅱ期睡眠
E.大劑量中樞抑制性藥物，如苯巴比妥

2.單項選擇題關(guān)于參考導(dǎo)聯(lián)和雙極導(dǎo)聯(lián)的區(qū)別，正確的是（）。

A.參考導(dǎo)聯(lián)記錄的是每個記錄電極周圍的絕對電位，而不是電位差
B.無論參考導(dǎo)聯(lián)還是雙極導(dǎo)聯(lián)記錄的都是兩個電極之間的電位差
C.參考導(dǎo)聯(lián)和雙極導(dǎo)聯(lián)都會受到耳電極活化的干擾
D.一個記錄電極在參考導(dǎo)聯(lián)上顯示為負(fù)相波，那么在雙極導(dǎo)聯(lián)上也為負(fù)相波
E.雙極導(dǎo)聯(lián)的定位意義總是優(yōu)于參考導(dǎo)聯(lián)

3.單項選擇題神經(jīng)細(xì)胞興奮時，形成動作電位上升支的原因（）。

A.Na+通道開放，Na+內(nèi)流，膜內(nèi)變正，形成上升支
B.Na+通道開放，Na+外流，膜內(nèi)變負(fù)，形成上升支
C.K+順濃度差外流，形成復(fù)極化，形成動作電位上升支
D.K+順濃度差內(nèi)流，形成復(fù)極化，形成動作電位上升支
E.Ca2+順濃度差內(nèi)流，形成動作電位上升支

4.單項選擇題慢紙速（15mm/s）不能用于（）。

A.全夜睡眠記錄
B.觀察間隔較長的周期性改變
C.新生兒的交替睡眠圖
D.暴發(fā)性抑制波
E.癲癇樣放電的識別

5.單項選擇題在參考導(dǎo)聯(lián)上（同側(cè)耳電極為參考電極），F(xiàn)P2-A2為等電位線，F(xiàn)4-A2為-100μV，C4-A2為-150μV，P4-A2為-100μV，O2-A2為-20μV，以下解釋正確的是（）。

A.負(fù)相信號位于C4，并活化了耳電極
B.負(fù)相信號位于C4，擴散到了F4、P4，僅在很小程度上影響了O2
C.負(fù)相信號位于O2，并擴散到了F4、C4、P4
D.負(fù)相信號位于FP2，并活化了耳電極
E.負(fù)相信號位于F4、P4，并擴散到了C4和O2