A、5MEVN≤E<10MEV1.0Cm B、MEVN≤E<10MEV1.5Cm C、10MEVN≤E<20MEV2.0Cm D、20MEVN≤E<50MEV3.0Cm E、最大吸收劑量所在參數(shù)
A、量熱法 B、電離室法 C、膠片法 D、半導體探測器 E、熱釋光劑量法
A、1Bq=2.709×10-11Ci B、1Bq=1.709×10-11Ci C、1Bq=2.709×10-10Ci D、1Bq=1.709×10-12Ci E、1Bq=2.709×10-12Ci