單項選擇題DDR3內(nèi)存為（）線。
A.168
B.184
C.240
D.280
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1.單項選擇題關(guān)機后存儲數(shù)據(jù)會丟失的存儲器是內(nèi)存和（）
A.BIOS
B.硬盤
C.高速緩存
D.CMOS
2.單項選擇題內(nèi)存條是由（）存儲芯片組成，高速緩存是由SRAM存儲芯片組成。
A.DRAM
B.RAM
C.SRAM
D.EEPROM
3.單項選擇題SRAM在實際生產(chǎn)中，一個存儲單元需要（）個晶體管和2個電阻組成。
A.8
B.4
C.2
D.1
4.單項選擇題按工作原理分類，計算機的內(nèi)存分為隨機存儲器RAM和（）
A.DDR
B.ROM
C.DRAM
D.SRAM
5.單項選擇題（）主要決定主板的規(guī)格、對硬件的支持及系統(tǒng)的性能，它連接著CPU、內(nèi)存、AGP或PCI-E總線。
A.南橋芯片
B.北橋芯片
C.BIOS芯片
D.PCI-E接口
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在順序表中，插入和刪除元素會涉及元素的移動。
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