A.連續(xù)照射
B.分段照射
C.分次照射
D.間斷照射
E.脈沖式照射
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你可能感興趣的試題
A.照射時(shí)間
B.總治療時(shí)間
C.瞬時(shí)劑量率
D.治療平均劑量率
E.參考劑量率
A.MTD
B.MCD
C.TCP/NTCP
D.NTCP/TCP
E.SI
A.治療技術(shù)
B.放射源強(qiáng)度
C.參考區(qū)定義
D.參考點(diǎn)劑量
E.治療區(qū)定義
A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)
A.毫克鐳當(dāng)量
B.參考照射量率
C.顯活度
D.空氣比釋動(dòng)能強(qiáng)度
E.空氣比釋動(dòng)能率常數(shù)
最新試題
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。