A.表面劑量增加
B.最大劑量深度變深
C.X射線污染增加
D.劑量梯度變陡
E.高能電子束較低能電子束變化顯著
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A.Sp(FSZ)=Scp/OUF=Scp/Sc
B.Sp(FSZ)=OUF/Scp=Sc/Scp
C.Sc=Scp/OUF=Scp/Sp
D.Sc=OUF/Scp=Sp/Scp
E.OUF=(Sc+Sp)/Scp
A.照射野越大,影響越大
B.電子束射程越短,影響越大
C.低能時(shí),影響較大
D.當(dāng)照射野的直徑大于電子束射程的1/2時(shí),影響較小
E.當(dāng)照射野的直徑大于電子束射程的2/3時(shí),影響較大
A.原射線的離軸比
B.射野的邊界因子
C.射野的對稱性
D.射野的平坦度
E.射野的均質(zhì)性
A.一維物理楔形板
B.動(dòng)態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動(dòng)態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描
A.體積較大
B.對側(cè)向散射反應(yīng)不靈敏
C.受“熱效應(yīng)”影響大
D.易受環(huán)境及溫度影響
E.受照射野大小影響
最新試題
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級準(zhǔn)直器。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
源皮距越小,百分深度劑量越大。