A.0.5倍
B.0.85倍
C.1.0倍
D.1.18倍
E.1.55倍
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A.局部劑量高且LET高
B.局部劑量低且LET低
C.局部劑量高但LET低
D.局部劑量低但LET高
E.以上均錯(cuò)誤
A.低LET射線存在亞致死損傷
B.低LET射線的RBE高
C.高LET射線治療時(shí)劑量改變的影響不顯著
D.低LET射線治療時(shí)存在細(xì)胞修復(fù)
E.低LET射線治療時(shí)細(xì)胞階段的敏感性差異明顯
A.增益比
B.治療比
C.標(biāo)準(zhǔn)劑量比
D.參考劑量比
E.耐受比
A.窄束
B.寬束
C.平行寬束
D.平行寬束和單一能量
E.平行窄束和單一能量
A.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位厚度的能量損失份額
B.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位厚度的相互作用幾率
C.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的能量損失份額
D.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的相互作用幾率
E.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,強(qiáng)度衰減一半時(shí)的物質(zhì)厚度
最新試題
百分深度劑量受照射野面積的影響。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。