單項(xiàng)選擇題阻止本領(lǐng)是描述高能電子穿過(guò)單位路徑長(zhǎng)度介質(zhì)時(shí)的（）

A.方向改變
B.數(shù)量損失
C.通量損失
D.動(dòng)量損失
E.能量損失


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2.單項(xiàng)選擇題TMR與源皮距SSD的關(guān)系是（）

A.當(dāng)SSD改變時(shí)，TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時(shí)，TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時(shí)，TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時(shí)，TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時(shí)，TMR減小

3.單項(xiàng)選擇題電于直線加速器的加速管內(nèi)電磁場(chǎng)的分布為（）

A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)

4.單項(xiàng)選擇題與并行器官相比，常見(jiàn)串行器官的并發(fā)癥發(fā)生率（）

A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng)，與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng)，與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱，與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱，與受照體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
E.只和受照最大劑量有關(guān)

5.單項(xiàng)選擇題光子線的表面劑量大小受能量和射野大小影響，下列敘述正確的是（）

A.能量越高，射野越小，表面劑量越高
B.能量越高，射野越大，表面劑量越高
C.能量越低，射野越小，表面劑量越高
D.能量越低，射野越大，表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小，射野大小對(duì)表面劑量影響很大