單項(xiàng)選擇題（）具有明顯的方向性和飽和性。
A、金屬鍵
B、共價(jià)鍵
C、離子鍵
D、化學(xué)鍵
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1.單項(xiàng)選擇題以下材料中，結(jié)晶過(guò)程中以非小平面方式生長(zhǎng)的是（）
A.金屬鍺
B.透明環(huán)己烷
C.氧化硅
2.單項(xiàng)選擇題由于晶核產(chǎn)生于高畸變能區(qū)域，再結(jié)晶在（）部位不易形核。
A.大角度晶界和孿晶界
B.相界面
C.外表面
3.單項(xiàng)選擇題開(kāi)始發(fā)生再結(jié)晶的標(biāo)志是（）
A.產(chǎn)生多變化
B.新的無(wú)畸變等軸小晶粒代替變形組織
C.晶粒尺寸顯著增大
4.單項(xiàng)選擇題純金屬材料的再結(jié)晶過(guò)程中，最有可能在（）位置首先發(fā)生再結(jié)晶形核。
A.小角度晶界
B.孿晶界
C.外表面
5.單項(xiàng)選擇題再結(jié)晶晶粒長(zhǎng)大的過(guò)程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界遷移的直接原因，晶界總是向著（）方向移動(dòng)。
A.曲率中心
B.曲率中心相反
C.曲率中心垂直
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