A.層錯(cuò)和不完全位錯(cuò)交替出現(xiàn)
B.層錯(cuò)和不完全位錯(cuò)能量相同
C.層錯(cuò)能越高,不完全位錯(cuò)伯氏矢量的模越小
D.不完全位錯(cuò)總是出現(xiàn)在層錯(cuò)和完整晶體的交界處
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A.當(dāng)過(guò)冷度很小時(shí),原子可動(dòng)性低,相變驅(qū)動(dòng)力低,因此,形核率低
B.當(dāng)過(guò)冷度很小時(shí),原子可動(dòng)性高,相變驅(qū)動(dòng)力高,因此,形核率低
C.當(dāng)過(guò)冷度很小時(shí),原子可動(dòng)性低,相變驅(qū)動(dòng)力高,因此,形核率低
D.當(dāng)過(guò)冷度很小時(shí),原子可動(dòng)性高,相變驅(qū)動(dòng)力低,因此,形核率低
A.應(yīng)力偏轉(zhuǎn)
B.應(yīng)力松弛
C.應(yīng)力集中
A.在臨界形變量進(jìn)行塑性變形加工
B.大變形量
C.較長(zhǎng)的退火時(shí)間
D.較高的退火溫度
最新試題
準(zhǔn)一維納米材料是指在兩個(gè)維度上為納米尺度,長(zhǎng)度約為微米級(jí)、毫米級(jí)的新型納米材料。下列各選項(xiàng)中,屬于準(zhǔn)一維納米材料的是()
按性能分可將復(fù)合材料分為()
以下能夠通過(guò)縮聚反應(yīng)得到的是()
以下屬于干法成型的方法有()
信息存儲(chǔ)材料主要包括()
根據(jù)冷卻速度的不同,可得到珠光體、貝氏體和馬氏體三種不同的熱處理組織。低溫、中溫和高溫相應(yīng)的轉(zhuǎn)變產(chǎn)物為()
-A-A-A-A-B-B-B-B-B-A-A-A-A-屬于()共聚物。
超細(xì)粉體的尺寸范圍為()
下列關(guān)于杠桿定律說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
陶瓷材料的鍵接方式為()