相關(guān)顯示是由漏磁場吸附磁粉形成的磁痕顯示。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定：兩條或兩條以上缺陷磁痕在同一直線上且間距不大于2mm時，按一條磁痕處理，其長度為兩條磁痕之和加間距。

材料磁導率低（剩磁大）及直流磁化后，退磁磁場換向的次數(shù)（退磁頻率）應較多，每次下降的磁場值應較小，且每次停留的時間（周期）要略長。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定：當辯認細小缺陷磁痕時應用2～10倍放大鏡進行觀察。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定：采用軸向通電法和觸頭法磁化時，為了防止電弧燒傷工件表面，應將工件和電極接觸部分清除干凈或在電極上安裝非導電物質(zhì)。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定：剩磁應不大于0.3mT（240A/m）。

熒光磁粉檢測時，磁痕的評定應在暗室或暗處進行，暗室或暗處可見光照度應不小于20Lx。

JB/T4730.4-2005標準規(guī)定的水斷試驗，主要是用來檢驗水磁懸液對被檢表面的潤濕性能，只有出現(xiàn)裸露的“水斷”表面，才可以開始磁粉檢測。

磁懸液應采用軟管沖淋或浸漬法施加于工件表面。

采用濕法時，應確認整個檢測面被磁懸液濕潤后，再施加磁懸液。