單項(xiàng)選擇題在外加磁場中HC=CH乙炔分子的兩個(gè)質(zhì)子位于（）。
A.屏蔽區(qū)
B.去屏蔽區(qū)
C.屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)
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1.單項(xiàng)選擇題在外加磁場中，H2C=CH2乙烯分子中四個(gè)質(zhì)子位于（）。
A.屏蔽區(qū)
B.去屏蔽區(qū)
C.屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)
2.單項(xiàng)選擇題TMS的δ=0，從化合物的結(jié)構(gòu)出發(fā)，它的正確含義是（）。
A.不產(chǎn)生化學(xué)位移
B.化學(xué)位移最大
C.化學(xué)位移最小
3.單項(xiàng)選擇題化合物ClCH2CH2Cl，四個(gè)質(zhì)子屬磁全同，其NMR圖為（）。
A.兩個(gè)三重峰
B.五重峰
C.一重峰
4.單項(xiàng)選擇題偶合常數(shù)2JHH值，與外加磁場強(qiáng)度的關(guān)系是（）。
A.無關(guān)
B.成比例
C.不成比例
5.單項(xiàng)選擇題用頻率表示的化學(xué)位移值與外加磁場強(qiáng)度的關(guān)系是（）。
A.無關(guān)
B.成比例
C.不成比例
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電子探針做定量分析時(shí)一般不需要進(jìn)行修正。
題型：判斷題
與電子探針相比，離子探針的分析深度更深。
題型：判斷題
高分辨成像含兩個(gè)基本過程，分別對應(yīng)著數(shù)學(xué)上的傅里葉變換和反傅里葉變換。
題型：判斷題
微觀形貌分析主要借助各種顯微技術(shù)來認(rèn)識(shí)材料的微觀結(jié)構(gòu)。
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題型：判斷題
支持膜或復(fù)型薄膜不應(yīng)該顯示出（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
色譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)既發(fā)揮了色譜法的分離能力，又發(fā)揮了質(zhì)譜法的高鑒別能力。
題型：判斷題
受力流動(dòng)成型和自由流動(dòng)成型方式均是在物料流動(dòng)狀態(tài)下進(jìn)行，區(qū)別在于有無外力作用。
題型：判斷題
在材料后加工方式中，下列（）不屬于修飾的加工方法。
題型：單項(xiàng)選擇題
盛放被測試樣品的坩堝應(yīng)保證可以與樣品進(jìn)行反應(yīng)。
題型：判斷題