單項(xiàng)選擇題在書(shū)寫(xiě)晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)為•表示帶（）個(gè)電荷。
A.+2
B.+3
C.-1
D.+1
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1.單項(xiàng)選擇題在書(shū)寫(xiě)晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)不寫(xiě)表示帶（）個(gè)電荷。
A.0
B.-1
C.+2
D.+3
2.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)缺陷根據(jù)產(chǎn)生原因可以分為（）類。
A.1
B.2
C.3
D.4
3.單項(xiàng)選擇題Fe1-xO當(dāng)環(huán)境氧分壓升高時(shí)，則其電導(dǎo)率與氧分壓的（）次方成正比。
A.1/3
B.1/4
C.1/5
D.1/6
4.單項(xiàng)選擇題TiO2-x當(dāng)環(huán)境中氧氣氛壓力減小或者在還原性氣氛中，則其電導(dǎo)率與氧分壓的（）次方成反比。
A.1/3
B.1/4
C.1/5
D.1/6
5.單項(xiàng)選擇題非化學(xué)計(jì)量化合物有（）種類型。
A.3
B.4
C.5
D.6
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題型：?jiǎn)柎痤}
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