試比較TD-LTE升級(jí)和新建方案。

請(qǐng)描述一下，通信機(jī)房?jī)?nèi)照明設(shè)置應(yīng)配備哪幾種，且各自作用如何。

簡(jiǎn)述默認(rèn)承載與專(zhuān)有承載的區(qū)別。

工程師在現(xiàn)場(chǎng)優(yōu)化時(shí)為控制覆蓋，對(duì)1個(gè)使用兩通道天線的小區(qū)進(jìn)行了降功率6db操作（調(diào)整powerscaling），達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)，該小區(qū)兩個(gè)通道的PMAX均為10w，在sib2中收到的Referfencesignalpower為12dbm，pb=1；RRCconnctionsetup中收到的pa=0。請(qǐng)簡(jiǎn)述這一操作的不良后果。

簡(jiǎn)單說(shuō)明CFI信息的含義？

簡(jiǎn)述觸發(fā)LTE系統(tǒng)內(nèi)切換的主要事件及含義。

某TDLTER8處于小區(qū)B1超過(guò)20秒，鄰區(qū)有A（高優(yōu)先級(jí)）、B2（同優(yōu)先級(jí)）及C（低優(yōu)先級(jí)）。參數(shù)設(shè)置如下：threshXHigh=threshXLow=threshServingLow=20dB；qOffsetCell=0dB；qHyst=6dB。tReselection=1秒；qRxLevMin=-115dBm；offsetFreq=0所有小區(qū)的RSRP測(cè)量值（連續(xù)一秒）如下：A：-97dBmB1：-96dBmB2：-92dBmC：-94dBm請(qǐng)用R8的重選規(guī)則評(píng)估所有小區(qū)，然后找出最終重選目標(biāo)小區(qū)？

網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃的關(guān)鍵內(nèi)容有哪些？

在MME上配置ENODEB，需要規(guī)劃并配置哪些數(shù)據(jù)？

簡(jiǎn)述LTE跟蹤區(qū)邊界的規(guī)劃原則。