MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。