單項(xiàng)選擇題X線特征輻射的產(chǎn)生是由于（）。

A.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的外層電子
B.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的內(nèi)層電子
C.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的原子核
D.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的光學(xué)軌道電子
E.高速運(yùn)動(dòng)的電子作用于靶原子的內(nèi)層電子和原子核


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1.單項(xiàng)選擇題放射性同位素衰變與下面那種因素?zé)o關(guān)？（）

A.衰敗前的電子數(shù)
B.衰敗時(shí)間
C.元素的放射性
D.元素衰敗的半衰期
E.射線穿過介質(zhì)的厚度

2.單項(xiàng)選擇題衰變常數(shù)與半衰期TH之間的關(guān)系是（）。

A.入=0.693Th
B.入=0.693/Th
C.入=Th/0.693
D.入=1.44Th
E.以上都不對

3.單項(xiàng)選擇題在鈷元素中，非放射性的是（）。

A.27Co57
B.27Co58
C.27Co59
D.27Co60
E.27Co61

4.單項(xiàng)選擇題放射性同位素的一種屬性是（）。

A.衰變
B.人工產(chǎn)生
C.天然
D.原子核處于穩(wěn)定狀態(tài)
E.穩(wěn)定

5.單項(xiàng)選擇題電磁輻射的能量增加可導(dǎo)致（）。

A.頻率增長
B.波長增加
C.頻率不變
D.頻率減小
E.破長不變