單項(xiàng)選擇題

目前TD-LTE基帶芯片的最高工藝為多少工藝水平？

A、65nm
B、45nm
C、28nm
D、90nm

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單項(xiàng)選擇題

4G終端是移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)，中國(guó)移動(dòng)將在今年采購(gòu)超過(guò)（）部LTE終端，以推動(dòng)TD-LTE終端規(guī)?；l(fā)展。

A、0.8億
B、1億
C、1.5億
D、2億

單項(xiàng)選擇題

TD-LTE中，判斷終端是否處于小區(qū)覆蓋邊緣主要通過(guò)（）

A、CRS-SINR
B、RSRP
C、RSSI
D、RSRQ

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