A、12??
B、14
C、16
D、18
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A、173??
B、194
C、165
D、210
A、系統(tǒng)設(shè)備和終端芯片
B、系統(tǒng)設(shè)備和業(yè)務(wù)
C、系統(tǒng)設(shè)備、終端芯片和業(yè)務(wù)
D、系統(tǒng)設(shè)備、終端芯片、儀器儀表和業(yè)務(wù)
A、TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)是一種國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)
B、TD-LTE只能異頻組網(wǎng)
C、TD-LTE核心網(wǎng)兼容3G
D、TD-LTE的核心網(wǎng)不能兼容FDD-LTE
A、TD-LTE相比3G具有更低的接入時(shí)延
B、TD-LTE采用扁平化的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
C、TD-LTE可以采用同頻組網(wǎng)
D、TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)展嚴(yán)重滯后于FDD-LTE
A、TD-LTE
B、LTE-FDD
C、WCDMA
D、GSM
最新試題
TAC越大，尋呼信道容量越小。
有關(guān)LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)線鏈路失?。≧LF），下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后，需要周期性在IMS重注冊(cè)。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外，網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
在接入成功率指標(biāo)分析過(guò)程中，通過(guò)話統(tǒng)Counter，可以執(zhí)行的動(dòng)作為（）。
LTE無(wú)線基站智能關(guān)斷技術(shù)包含∶（）。
LTE只需要考慮不遺漏鄰區(qū)，而不需要嚴(yán)格按照信號(hào)強(qiáng)度來(lái)排序相鄰小區(qū)。
創(chuàng)建承載不成功，SGW回給的CreateSessionResponse消息的原因?yàn)椤肞GWnotresponding，處理辦法是∶（）。
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括（）。
PRACK是請(qǐng)求而非響應(yīng)，是對(duì)臨時(shí)響應(yīng)的確認(rèn)。