單項(xiàng)選擇題EMB5116TD-LTE主設(shè)備Ir接口使用的光模塊為（）
A、155Mbps
B、2.5Gbps
C、5Gbps
D、6Gbps
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1.單項(xiàng)選擇題EMB5116TD-LTE主設(shè)備的傳輸單元接口板是（）
A、SCTE
B、ETPE
C、EMA
D、BPOG
2.單項(xiàng)選擇題LTE系統(tǒng)S1接口流量分為兩個(gè)指標(biāo)：S1接口上行流量和S1接口下行流量，S1接口上行流量指的是（）
A、所有S1接口IP地址對(duì)傳輸IP層發(fā)送的數(shù)據(jù)速率之和
B、所有S1接口IP地址對(duì)傳輸IP層接收的數(shù)據(jù)速率之和
C、所有S1接口IP地址對(duì)應(yīng)用IP層發(fā)送的數(shù)據(jù)速率之和
D、所有S1接口IP地址對(duì)應(yīng)用IP層接收的數(shù)據(jù)速率之和
3.單項(xiàng)選擇題LTE中S1口相當(dāng)于TD中哪個(gè)接口？（）
A、IU
B、Iub
C、IUr
D、UU
4.單項(xiàng)選擇題基站與核心網(wǎng)之間的傳輸（S1）為光纖傳輸，確定以下哪一個(gè)傳輸光接口不是光接口類(lèi)型（）
A、LC
B、SC
C、GE
D、FC
5.單項(xiàng)選擇題TD-LTE站點(diǎn)對(duì)傳輸?shù)囊笫彝庹军c(diǎn)S111基站S1接口傳輸帶寬建議按照（）Mbps進(jìn)行規(guī)劃。
A、400
B、450
C、500
D、550
最新試題
用以測(cè)試駐波的儀器是（），一般駐波比小于（）為正常。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
有關(guān)LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)線鏈路失?。≧LF），下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
站點(diǎn)勘察時(shí)需要收集的信息句括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
題型：判斷題
關(guān)于鄰區(qū)切換失敗的可能原因，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
VoLTE語(yǔ)音質(zhì)量端到端間接影響因素包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后，需要周期性在IMS重注冊(cè)。
題型：判斷題
VoLTE網(wǎng)絡(luò)中MME可以為UE分配P-CSCF地址。
題型：判斷題
TAC越大，尋呼信道容量越小。
題型：判斷題