單項選擇題三維計劃系統(tǒng)的劑量算法可按對組織不均勻性和對次級電子能量沉積處理方式的不同分類，這些分類不包括（）

A.一維能量局部沉積算法
B.一維能量非局部沉積算法
C.二維能量非局部沉積算法
D.三維能量局部沉積算法
E.三維能量非局部沉積算法


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1.單項選擇題組織補償器主要是補償（）

A.射野入射方向皮膚表面的彎曲
B.組織不均勻性
C.多野結(jié)合后彼此的劑量制約關(guān)系
D.射野劑量權(quán)重因子
E.組織器官的運動

2.單項選擇題參考照射量率Rx定義為距源多遠的輸出劑量率（）

A.1cm
B.2cm
C.5cm
D.10cm
E.100cm

4.單項選擇題關(guān)于劑量建成區(qū)形成的原因，錯誤的是（）

A.高能X（γ）射線入射到人體或模體時，在體表或皮下產(chǎn)生高能次級電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級電子射程較短，但仍需穿過一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X（γ）射線隨組織深度增加，產(chǎn)生的高能次級電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實際是帶電粒子能量沉積過程

5.單項選擇題現(xiàn)代高能直線加速器，電子束能量可提供（）

A.2~6MeV
B.6~10MeV
C.10~15MeV
D.15~20MeV
E.4~22MeV