A.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染減小
B.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
C.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
D.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染增加
E.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染減小
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A.0.2mm
B.0.5mm
C.1.0mm
D.1.5mm
E.2.0mm
A.以DNA雙鍵斷裂造成細胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個不同電離粒子不能協(xié)同作用來殺死細胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上,主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響,因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種
A、指形電離室的靈敏體積通常為0.1~1.5cm3
B、指形電離室由靜電極、測量極和保護極組成
C、指形電離室一般不用于測量表面劑量
D、指形電離室通常用來校準中高能X線以及4MeV以上的電子線
E、指形電離室?guī)в袠藴屎穸鹊钠胶饷?,其目的是為了增加靈敏體積內(nèi)的電子數(shù)目
A.DVH能顯示體積和劑量的關(guān)系
B.最佳的治療計劃應(yīng)使處方劑量包繞PTV
C.計劃評估主要是觀察劑量分布
D.DVH能夠很好地顯示靶區(qū)和危及器官的空間劑量分布信息
E.主要器官內(nèi)受照射體積與最大劑量間的關(guān)系
A.加速電子能量
B.加速電子強度
C.電子偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)
D.準直系統(tǒng)設(shè)計
E.靶和均整器材料
最新試題
影響靶點位置精確度的因素包括機械精度,定位精度和擺位精度。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達式是()。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進行修正。
伽瑪?shù)栋悬c位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。
等效射野指的是通過計算換算后的方形野。
光電效應(yīng)時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。