問答題
制造硅半導(dǎo)體器體中,常使硼擴散到硅單晶中,若在1600K溫度下,保持硼在硅單晶表面的濃度恒定(恒定源半無限擴散),要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半,問需要多長時間(已知D1600℃=8×10-12cm2/s;當(dāng))?
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