青青草青青操,亚洲av乱码一区二区三区,两个人的视频全免费观看在线

<center id="7asa0"></center><kbd id="7asa0"><noframes id="7asa0"><rp id="7asa0"></rp>^{<rp id="7asa0"></rp>}

填空題通常把通過細(xì)化晶粒來改善材料性能的方法稱為（），控制晶粒大小的主要方法有：（）和（）。

1.填空題冷卻速度愈大，過冷度也愈大，結(jié)晶后的晶粒也（），金屬的（）。

2.填空題在金屬結(jié)晶過程中，晶核的形成有兩種形式：（）。且非自發(fā)形核比自發(fā)形核更重要，往往起（）作用。

3.填空題點(diǎn)缺陷的種類有：（）；位錯(cuò)屬于（），提高位錯(cuò)密度是（）的重要途徑之一。

4.填空題結(jié)晶的必要充分條件是：（），冷卻速度愈快，（）。

5.填空題晶粒中的主要三種晶體結(jié)構(gòu)及代表元素為：（）；晶格常數(shù)為：（）。