電子云密度越大的位置與親電化合物發(fā)生反應(yīng)的可能性越高。

QSAR的方法已經(jīng)成為一個(gè)從分子水平認(rèn)識(shí)和預(yù)測(cè)物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)對(duì)某一特性影響的強(qiáng)有力的科學(xué)工具。

QSAR數(shù)據(jù)的獲取途徑包括（）。

Hammett取代基常數(shù)，σ為正值，說明取代基是吸電性的。

飽和價(jià)鍵的污染物分子中取代基對(duì)于反應(yīng)的影響主要是通過誘導(dǎo)效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的。

根據(jù)化合物的辛醇-水分配系數(shù)，通過差分可以計(jì)算出相應(yīng)的取代基團(tuán)或者官能團(tuán)的特征分配系數(shù)，用（）表示。

電子云密度越低的位置則與親核化合物發(fā)生反應(yīng)的可能性越高。

QSAR研究的基本步驟是（）。

Hammett取代基常數(shù)與下列哪些參數(shù)有關(guān)？（）

辛醇-水分配系數(shù)、Hammett取代基常數(shù)和分子連接指數(shù)都是半經(jīng)驗(yàn)性的分子結(jié)構(gòu)描述子。