打靶圖用于表示誤差時(shí),其表達(dá)為()。
A.系統(tǒng)誤差大,但隨機(jī)誤差不大
B.隨機(jī)誤差大,但系統(tǒng)誤差不大
C.系統(tǒng)誤差和隨機(jī)誤差都大
D.系統(tǒng)誤差和隨機(jī)誤差都不大
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A.絕對(duì)誤差為±1N
B.相對(duì)誤差為±1N
C.絕對(duì)誤差為±1%
D.相對(duì)誤差為±1%
A.絕對(duì)誤差為0.5mm
B.絕對(duì)誤差為±0.5mm
C.誤差限為±0.5mm
D.最大絕對(duì)誤差為±0.5mm
A.重復(fù)測(cè)量
B.隨機(jī)化
C.區(qū)組控制
D.均衡搭配
E.誤差可控
A.等差法
B.等比法
C.黃金分割法
D.隨機(jī)法
E.分?jǐn)?shù)法
A.產(chǎn)品的原材料穩(wěn)定性
B.產(chǎn)品的質(zhì)量損失
C.產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝流程
D.產(chǎn)品的設(shè)備更新
E.產(chǎn)品的生產(chǎn)環(huán)境
最新試題
電子探針中能譜儀和波譜儀均需長(zhǎng)期置于低溫狀態(tài)。
樣品質(zhì)量偏大可能會(huì)造成失重曲線向高溫方向偏移。
微觀形貌分析主要借助各種顯微技術(shù)來(lái)認(rèn)識(shí)材料的微觀結(jié)構(gòu)。
掃描電子顯微鏡隨放大倍數(shù)的增大,電子束直徑()。
透射式高能電子衍射只適用于對(duì)薄層樣品的分析的原因在于與X射線相比,電子穿透能力差。
不存在位錯(cuò)、第二相粒子等缺陷的晶體,稱為理想晶體或者是完整晶體。
質(zhì)厚襯度與散射物體不同部位的密度和厚度的差異無(wú)關(guān)。
衍射線在空間的分布(也就是晶面間距)主要反映()。
受力流動(dòng)成型和自由流動(dòng)成型方式均是在物料流動(dòng)狀態(tài)下進(jìn)行,區(qū)別在于有無(wú)外力作用。
各種高聚物都存在老化問題,下列()老化現(xiàn)象不是由于高分子鏈交聯(lián)引起的。