單項(xiàng)選擇題在材料的燒結(jié)過程中，二次再結(jié)晶是少數(shù)巨大晶粒在細(xì)晶粒消耗時(shí)的異常長大過程。這種二次再結(jié)晶屬于（）。
A.吞并周圍小晶粒而迅速長大
B.平均晶粒尺寸的長大
C.晶界移動(dòng)的結(jié)果
D.以上都不是
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1.單項(xiàng)選擇題在材料的燒結(jié)過程中，當(dāng)體系中有少量液相存在，并且θ＜90°、C＞0，該燒結(jié)過程中的傳質(zhì)方式是（）。
A.擴(kuò)散傳質(zhì)
B.流動(dòng)傳質(zhì)
C.蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)
D.溶解-沉淀傳質(zhì)
2.單項(xiàng)選擇題影響固相反應(yīng)速率的反應(yīng)總阻力是（）。
A.各個(gè)分阻力的倒數(shù)和
B.各個(gè)分阻力的和
C.各個(gè)分阻力的和的倒數(shù)
D.和分阻力無關(guān)
3.單項(xiàng)選擇題熔體的冷卻析晶相變，主要通過成核、晶體生長等二個(gè)過程來實(shí)現(xiàn)，成核速率和晶體生長速率都與過冷度⊿T 有關(guān)，只有在一定的過冷度下才能有最大的成核和生長速率。與晶體生長速率曲線的峰值相比，成核速率曲線的峰值一般位于（）。
A.較大過冷度⊿T 處
B.較小過冷度⊿T 處
C.同一過冷度⊿T 處
D.不能確定
4.單項(xiàng)選擇題在熔體冷卻析晶相變過程中發(fā)生均勻成核時(shí)，均勻成核速率的大小除了受核化位壘影響外，還取決于（）。
A.質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散速率
B.表面能
C.離子電價(jià)
D.和以上因素?zé)o關(guān)
5.單項(xiàng)選擇題熔體的冷卻析晶相變，主要通過成核、晶體生長等二個(gè)過程來實(shí)現(xiàn)，成核速率與晶體生長速率兩曲線的重疊區(qū)通常稱為“析晶區(qū)”。當(dāng)析晶熱處理溫度設(shè)在“析晶區(qū)”中較低的過冷度⊿T 處，其析晶現(xiàn)象是晶粒（）。
A.多而細(xì)
B.少而粗
C.多而粗
D.少而細(xì)
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生物醫(yī)用材料按性質(zhì)分類可分為（）
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