問答題本征半導體材料Ge在297K下其禁帶寬度E=0.67（eV），現(xiàn)將其摻入雜質(zhì)Hg，鍺摻入汞后其成為電離能Ei=0.09（eV）的非本征半導體。試計算本征半導體Ge和非本征半導體鍺汞所制成的光電導探測器的截止波長。
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