1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是（）年。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。