A.增大原料的溶解度
B.增大原料的溶解度溫度系數(shù)
C.影響晶體的結(jié)晶習(xí)性
D.影響晶體的生長(zhǎng)速度
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A.高溫高壓下有很高的強(qiáng)度
B.耐壓
C.耐腐蝕
D.密封結(jié)構(gòu)良好
A.易溶物質(zhì)
B.難溶物質(zhì)
C.分解溫度較低物質(zhì)
D.在熔點(diǎn)下有相變物質(zhì)
A.晶體可在遠(yuǎn)低于其熔點(diǎn)的溫度下生長(zhǎng)
B.容易長(zhǎng)成大塊均勻性良好的晶體
C.生長(zhǎng)速度快，易操作
D.可直接觀察晶體生長(zhǎng)過程
A.氣體溶液
B.液體溶液
C.固體溶液
D.氣溶膠
A.擴(kuò)散
B.增加傳輸能力
C.降溫
D.對(duì)流
最新試題
不屬于影響成核過程的因素有（）
利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）
氣相生長(zhǎng)晶體的關(guān)鍵是（）
氣相生長(zhǎng)的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。
使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法是（）
蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）
不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）
下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法？（）
完全光滑界面的生長(zhǎng)是通過（）而進(jìn)行的。
臨界驅(qū)動(dòng)力指維持確定半徑的晶核所需要的（）驅(qū)動(dòng)力。