MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。