多項選擇題MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）
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1.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
2.多項選擇題集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴散到襯底的特定區(qū)域中
3.多項選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
4.多項選擇題硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
5.多項選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體
最新試題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
題型：多項選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么？
題型：問答題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型：多項選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。
題型：問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題