在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？