半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

什么是MOS器件的體效應？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。