從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？