比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電容主要有幾種結構？

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

版圖設計的基本前提是什么？

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？