圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
最新試題
把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
集成電容主要有幾種結構？
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？
MOS器件存在哪些二階效應？
集成電路電阻可以通過（）產生。
