問答題已知突變PN結(jié)零偏勢(shì)壘電容為3pF,內(nèi)建勢(shì)壘電壓為0.5V,計(jì)算10V反偏電壓時(shí)的勢(shì)壘電容。
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MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
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20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
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試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題