單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導體，根據(jù)單晶成分和晶體特征分類，P型半導體屬于哪一類？（）

在普通模鑄造法中二次冷卻指的是（）。

關于不規(guī)則共晶，下面論述錯誤的為（）。

低壓鑄造方法適合鑄造（）。

在均勻形核過程中，形成臨界晶核時體系的自由能（）；過冷度越（），形核越容易。

純金屬結(jié)晶時，晶核呈平面狀長大的條件是（）。

純金屬在等軸凝固的條件下，此時，由于結(jié)晶潛熱的放出，在晶體生長前沿，液相內(nèi)部的溫度梯度為（），而在固相內(nèi)的溫度梯度為（）。

以下（）不屬于與型壁發(fā)生接觸的連續(xù)鑄造法。

在平界面凝固條件下，界面處液體內(nèi)實際溫度梯度應（）液相熔點溫度分布的梯度。

對于真空吸鑄，下面哪種說法是正確的？（）