適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。

臨界驅(qū)動力指維持確定半徑的晶核所需要的（）驅(qū)動力。

什么是非奇異面？（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨有的特性？（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。