多項(xiàng)選擇題適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

A.沒(méi)有破壞性相變
B.較低的蒸氣壓
C.同成分熔化
D.純?cè)?/p>


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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說(shuō)法正確的有（）

A.光滑界面是以不連續(xù)的方式生長(zhǎng)。
B.光滑界面的生長(zhǎng)又稱(chēng)為側(cè)向生長(zhǎng)。
C.粗糙界面的生長(zhǎng)能連續(xù)地生長(zhǎng)
D.粗糙界面的生長(zhǎng)又稱(chēng)為層狀生長(zhǎng)

2.單項(xiàng)選擇題完全光滑界面的生長(zhǎng)是通過(guò)（）而進(jìn)行的。

A.臺(tái)階的產(chǎn)生
B.扭折的產(chǎn)生
C.臺(tái)階的運(yùn)動(dòng)
D.扭折的運(yùn)動(dòng)

3.多項(xiàng)選擇題晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

A.形成
B.孵化
C.生長(zhǎng)
D.團(tuán)聚

4.多項(xiàng)選擇題降溫法生長(zhǎng)關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應(yīng)力
D.選擇合理的生長(zhǎng)速率

5.單項(xiàng)選擇題膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍