提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說法是正確的？（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。

化學溶液鍍膜法主要包括（）

屬于一維材料的有（）

低維材料主要包括（）

完全光滑界面的生長是通過（）而進行的。

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。