影響CVD質(zhì)量的因素有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

陶瓷的種類繁多，生產(chǎn)制備過程各不相同，但一般都要經(jīng)歷以下哪幾個階段？（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）