適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

什么是非奇異面？（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

低維材料主要包括（）

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）