蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

臨界驅(qū)動力指維持確定半徑的晶核所需要的（）驅(qū)動力。

低維材料主要包括（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

凝聚開始的條件主要取決于（）

屬于影響成核過程的因素有（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）